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IRFZ34NS/L
Electrica      l Characteristics @ T J = 25° C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
55
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.052
––– V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA ?
R DS(ON)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.040
?
V GS = 10V, I D = 16A ?
25 V DS = 55V, V GS = 0V
100 V GS = 20V
––– I D = 16A
––– R G = 18 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
2.0
6.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.0
49
31
40
4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 16A
μA
250 V DS = 44V, V GS = 0V, T J = 150°C
nA
-100 V GS = -20V
34 I D = 16A
6.8 nC V DS = 44V
14 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13 ??
––– V DD = 28V
ns
––– R D = 1.8 ?, See Fig. 10 ??
L S
Internal Source Inductance
–––
7.5 –––
nH
Between lead,
and center of die contact
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
700 ––– V GS = 0V
240 ––– pF V DS = 25V
100 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– ––– 29
––– ––– 100
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
t on
Notes:
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.6 V T J = 25°C, I S = 16A, V GS = 0V ?
––– 57 86 ns T J = 25°C, I F = 16A
––– 130 200 nC di/dt = 100A/μs ??
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 25V, starting T J = 25°C, L = 610μH
R G = 25 ? , I AS = 16A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 16 A, di/dt ≤ 420A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? Uses IRFZ34N data and test conditions
** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
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